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3
4
6
6
19
8
Basis-Eingangswiderstand R1
1
4.7
Basis-Emitter-Widerstand R2
1
10
Bauform - HF-Transistor
1
TO-272
1
TO-92
Bauform - Transistor
1
CPH
2
Dual Cool 56
1
Dual Cool 88
3
MicroFET
1
MLP
5
Module
2
PG-TDSON
4
Power 33
6
Power 56
1
SC-70
1
SC-89
2
SOIC
2
SOT-223
2
SOT-23
1
SOT-669
7
SOT-89
2
SuperSOT
2
TO-126
3
TO-220
7
TO-220F
1
TO-225
2
TO-247
1
TO-247AB
1
TO-251AA
11
TO-252
1
TO-252AA
3
TO-263
2
TO-39
1
TO-3P
2
TO-3PN
25
TO-92
1
TO-92L
1
WDFN
Betriebsfrequenz, max.
1
520
Betriebsfrequenz, min.
1
135
Betriebstemperatur, max.
94
150
13
175
1
200
Betriebswiderstand, Rds(on)
1
0.00106
1
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1
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1
0.0029
1
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1
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1
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1
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1
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2
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1
0.0066
1
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1
0.008
1
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1
0.0095
1
0.017
2
0.019
1
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1
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1
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1
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1
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1
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1
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1
0.065
1
0.087
1
0.09
1
0.096
2
0.1
1
0.124
1
0.17
1
0.2
1
0.22
1
0.28
1
0.3
1
0.305
1
0.32
1
0.36
1
0.48
1
0.58
1
0.59
1
0.6
1
1
1
1.05
1
1.2
1
1.6
1
2
1
2.06
1
2.44
2
3
2
4
1
5
2
6
2
8
1
17
1
20
1
800
1
900
Dauer-Drainstrom Id
1
-830
1
-670
1
-650
1
-500
1
-480
1
-320
2
-250
1
-15
1
-13.2
1
-13
1
-9.4
1
-5.4
2
-3
1
-2.7
1
-1.56
1
1
1
1.5
1
2.7
1
3
1
4.8
1
5.5
1
6
1
6.8
1
7
1
7.5
1
7.6
1
8
1
9.5
1
10.2
2
12
1
13.5
1
16
1
18
2
22
1
26
1
35
1
40
1
45
1
52
1
60
1
69
1
70
1
75
1
76
1
80
1
92
1
100
1
108
1
120
1
129
1
160
1
170
1
175
1
200
1
248
2
250
1
254
1
260
1
350
1
360
1
410
1
530
1
640
Dauer-Kollektorstrom Ic
1
100
DC-Kollektorstrom
1
-800
1
-500
1
-50
1
-15
1
-4
3
-3
2
-2
2
1
1
1.5
2
2
1
3
2
4
1
5
1
10
1
17
1
20
2
25
1
35
1
50
2
100
1
120
2
200
6
500
3
600
1
700
DC-Stromverstärkung hFE
1
8
1
10
1
15
4
20
3
30
8
40
1
55
1
80
3
100
3
120
1
135
1
150
1
300
1
420
1
600
3
10000
Drain-Source-Spannung Vds
2
-400
1
-250
1
-200
1
-150
1
-120
2
-100
1
-90
4
-60
1
-30
3
-20
2
20
8
30
4
40
6
60
3
80
2
90
6
100
5
150
3
200
1
220
1
240
1
250
3
400
1
500
5
600
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.
1
13
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
1
6
Durchbruchspannung Vbr
1
-30
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.
1
-8
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1
1.1
1
1.4
1
1.5
3
1.6
1
2.2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1
-400
1
-230
1
-120
1
-80
3
-60
1
-50
1
-45
1
-40
4
1.2
2
30
4
40
1
45
2
50
3
60
1
65
1
80
2
100
1
140
1
250
2
300
1
350
1
400
1
450
1
500
1
600
1
650
2
800
MSL
101
MSL 1 - unbegrenzt
1
MSL 3 - 168 Stunden
Polarität des Digitaltransistors
1
Einfach NPN
Produktpalette
56
-
1
BC546C Series
1
BC638 Series
4
EasyPACK Series
1
EasyPIM Series
2
OptiMOS-5 Series
27
PowerTrench Series
1
PowerTrench SyncFET Series
7
QFET Series
2
SuperFET II FRFET Series
1
SuperFET II Series
1
UltraFET Trench Series
1
UniFET FRFET Series
1
UniFET II Series
3
UniFET Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
98
-
5
AEC-Q101
Rds(on)-Messspannung Vgs
14
-10
3
-4.5
1
0
1
4.5
1
5
47
10
Schwellenspannung Vgs
1
-
2
-2.4
1
-2.6
1
-2.8
3
-3.5
3
-4
4
-5
2
-700
1
-900
1
1
3
1.5
3
1.7
4
1.8
1
1.9
6
2
3
2.5
1
2.6
1
2.7
1
2.8
6
3
1
3.1
1
3.2
1
3.4
3
3.5
1
3.7
6
4
5
5
1
700
Transistormontage
6
Durchsteckmontage
2
Oberflächenmontage
Transistortyp
1
HF-FET
Übergangsfrequenz ft
3
-
1
10
3
100
2
125
3
15
1
160
2
200
2
250
1
260
2
3
2
30
4
300
1
420
3
50
1
75
1
8
2
9
Verlustleistung Pd
5
-
10
1
1
1.4
5
1.5
6
1.6
1
10
1
104
1
106
1
113
1
115
1
120
3
125
1
130
1
135
1
14
1
14.9
1
15
1
150
2
156
1
160
2
2.4
3
2.5
1
20
1
234
3
25
1
28
2
3.5
3
30
2
300
1
33.3
1
350
1
378
1
38
1
388
2
40
1
41
1
42
1
45
1
480
1
481
4
50
1
500
1
54
1
56.8
1
595
2
6.25
1
62
10
625
1
63
1
740
1
750
1
80
2
800
2
83
1
89
1
90
1
96
Wandlerpolarität
46
n-Kanal
23
NPN
15
p-Kanal
11
PNP
4
Sechsfach n-Kanal
2
Zweifach n-Kanal
2
Zweifach p-Kanal
1
Zwölf n-Kanal
Widerstandsverhältnis R1/R2
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RoHS-konform bezüglich Phthalate
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DIODES INC. DDC114YU-7-F TRANSISTOR, HF, 50V, SOT-363
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DIODES INC. DDTD113ZC-7-F DIGITALER TRANSISTOR, 50V, 0.5A, SOT23
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DIODES INC. DMC2038LVT-7 MOSFET, KOMPLEMENT., 20V, 3.7A, TSOT26
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DIODES INC. DMC2038LVT-7 MOSFET, KOMPLEMENT., 20V, 3.7A, TSOT26
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DIODES INC. DMG1012TQ-7 MOSFET, AEC-Q101, N-KANAL, 20V, SOT-523
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DIODES INC. DMG1012TQ-7 MOSFET, AEC-Q101, N-KANAL, 20V, SOT-523
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DIODES INC. DMG1012UW-7 MOSFET, N-KANAL, 20V, 1A, SOT-323
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