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Basis-Eingangswiderstand R1
1
4.7
1
10
1
22
Basis-Emitter-Widerstand R2
2
10
1
22
Bauform - HF-Transistor
1
NI-1230H-4S
1
PLD-1.5
2
TO-272
3
TO-92
Bauform - Transistor
1
CPH
2
Dual Cool 56
1
Dual Cool 88
3
MicroFET
1
MLP
3
Power 33
5
Power 56
1
SC-89
2
SOIC
3
SOT-223
6
SOT-23
1
SOT-669
7
SOT-89
2
SuperSOT
3
TO-126
4
TO-220
7
TO-220F
1
TO-225
1
TO-247
1
TO-247AB
1
TO-251AA
12
TO-252
2
TO-252AA
3
TO-263
1
TO-264
1
TO-39
2
TO-3PN
27
TO-92
2
TO-92L
1
WDFN
Betriebsfrequenz, max.
1
450
1
500
2
520
Betriebsfrequenz, min.
1
1.8
1
10
1
135
1
450
Betriebstemperatur, max.
101
150
9
175
1
200
Betriebswiderstand, Rds(on)
1
0.00106
1
0.0019
1
0.0027
1
0.0029
1
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1
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1
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1
0.006
2
0.0065
1
0.0075
1
0.017
2
0.019
1
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1
0.031
1
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1
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1
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1
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1
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1
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1
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1
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2
0.1
1
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1
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1
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1
0.22
1
0.28
1
0.3
1
0.305
1
0.32
1
0.36
1
0.48
1
0.59
1
0.6
1
1.05
1
1.2
1
2
1
2.06
1
2.44
1
3
2
4
1
5
2
6
2
8
1
17
1
20
1
800
1
900
Dauer-Drainstrom Id
2
-
1
-1.56
1
-13
1
-13.2
1
-15
1
-2.7
2
-250
2
-3
1
-320
1
-480
1
-5.4
1
-650
1
-670
1
-830
1
-9.4
1
1
1
1.5
1
10.2
1
108
1
12
1
120
1
129
1
13.5
1
16
1
160
1
170
1
175
1
2.7
1
20
1
200
2
22
1
248
1
254
1
26
1
260
1
3
1
35
1
360
1
4
1
4.8
1
40
1
5.5
1
52
1
6
1
6.8
1
60
1
640
1
69
1
7
1
7.5
1
7.6
1
75
1
8
1
80
1
9.5
Dauer-Kollektorstrom Ic
3
100
DC-Kollektorstrom
1
-800
3
-500
1
-50
1
-15
1
-4
3
-3
2
-2
1
-1.5
3
1
2
1.5
2
2
2
3
3
4
1
5
1
17
1
20
3
25
1
50
4
100
1
120
2
200
7
500
4
600
1
700
DC-Stromverstärkung hFE
1
5.5
1
8
2
10
2
15
4
20
5
30
9
40
2
55
1
60
1
70
2
85
4
100
3
120
1
135
1
144
1
150
1
300
1
400
1
420
1
600
3
10000
Drain-Source-Spannung Vds
2
-400
1
-250
1
-200
1
-150
1
-120
2
-100
1
-90
4
-60
1
-30
2
-20
1
20
8
30
4
40
5
60
1
80
1
90
5
100
1
110
1
135
2
150
3
200
1
220
1
240
1
250
3
400
1
500
4
600
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.
1
-50
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
1
-6
Durchbruchspannung Vbr
1
30
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.
1
4.5
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
2
1.1
1
2.2
1
450
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1
-400
1
-230
1
-120
1
-80
3
-60
1
-50
2
-45
1
-40
1
-25
1
-20
1
1.1
2
25
2
30
4
40
3
45
4
50
3
60
1
65
2
80
3
100
1
140
1
160
1
200
1
250
3
300
1
350
2
400
1
450
1
500
1
600
3
800
MSL
111
MSL 1 - unbegrenzt
3
MSL 3 - 168 Stunden
Polarität des Digitaltransistors
1
Einfach NPN
2
Einfach PNP
Produktpalette
72
-
1
BC546C Series
1
BC638 Series
23
PowerTrench Series
1
PowerTrench SyncFET Series
7
QFET Series
1
SuperFET II FRFET Series
1
SuperFET II Series
1
UltraFET Series
1
UltraFET Trench Series
1
UniFET FRFET Series
1
UniFET II Series
3
UniFET Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
105
-
5
AEC-Q101
Rds(on)-Messspannung Vgs
14
-10
2
-4.5
1
0
1
4.5
37
10
RoHS-konform bezüglich Phthalate
102
Ja
12
Keine Angabe
Schwellenspannung Vgs
1
-
2
-2.4
1
-2.6
1
-2.8
3
-3.5
3
-4
4
-5
2
-700
2
1.5
3
1.7
4
1.8
1
1.9
4
2
3
2.5
1
2.6
1
2.7
1
2.8
4
3
1
3.1
1
3.2
1
3.4
1
3.5
1
3.7
4
4
4
5
1
700
Transistortyp
1
JFET
Übergangsfrequenz ft
5
-
1
10
5
100
2
125
3
15
1
160
3
200
3
250
1
260
1
270
4
3
2
30
5
300
1
420
5
50
1
650
1
75
1
8
2
9
Verlustleistung Pd
12
1
1
1.4
5
1.5
6
1.6
1
1.667
2
2.4
3
2.5
2
3.5
1
6.25
1
10
1
14.9
2
15
1
20
3
25
1
28
3
30
1
33.3
1
36
1
38
2
40
1
41
1
42
1
45
4
50
1
54
1
62
1
62.5
1
63
1
75
2
80
1
83
1
89
1
90
1
96
1
104
1
106
1
115
1
120
3
125
1
135
3
150
2
156
1
160
1
200
1
225
1
300
3
350
1
378
1
388
1
450
1
480
1
481
1
500
12
625
1
740
1
750
2
800
Wandlerpolarität
38
n-Kanal
33
NPN
15
p-Kanal
14
PNP
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Zweifach n-Kanal
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Zweifach p-Kanal
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ArtikelNr.:
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INFINEON BSP299H6327XUSA1 MOSFET, N-KANAL, 500V, 0.4A, SOT-223-4
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INFINEON BSP316PH6327XTSA1 MOSFET, P-KANAL -100V, -0.68A, SOT-223-4
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