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TVS-Dioden
Betriebstemperatur, max.
6
-
1
110
3
125
5
150
18
175
12
200
1
90
Sperrerholzeit Trr, max.
2
-
2
25
1
30
Schwellenspannung Vbo, max.
1
-
Widerstand bei If
1
-
Schwellenspannung Vbo, min.
1
-
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
1
-
2
20
1
50
1
8
Kippstrom, max.
1
-
Produktpalette
27
-
1
1N27 Series
1
1N2970 Series
1
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1
1N2986 Series
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1
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8
1N33 Series
1
1N5806 Series
1
1N5811 Series
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Baureihe KBPC
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Baureihe KBPC3
1
KBPC Series
1
MR754 Series
1
MR756 Series
1
T6420 Series
Bauform - Diode
1
-
1
Axial bedrahtet
2
DO-202AA
1
DO-203AB
2
DO-204AP
5
DO-4
8
DO-5
1
DO-7
1
P600
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
41
-
MSL
23
-
Zündspannung, max., Vgt
1
-
1
2.2
1
2.5
1
3.4
Übergangsfrequenz ft
6
-
1
150
1
2
1
4
1
800
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.
2
-10
2
-6
1
-4
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1
-100
1
30
2
60
1
80
1
100
1
140
1
150
1
300
3
400
DC-Kollektorstrom
1
-20
1
5
1
7
1
16
2
20
2
30
1
40
1
50
1
300
1
400
Durchbruchspannung Vbr
3
-40
2
-30
1
100
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm
1
-30
1
1.2
2
600
Gesamtkapazität Ct
1
0.8
Spitzendurchlassstrom
1
1
Anzahl der Phasen
3
1
3
Eine Phase
Durchlassspannung Vf max.
1
1
3
1.2
3
875
1
900
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.
2
1
1
100
2
150
2
400
1
600
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz
1
1
1
160
1
250
1
265
Dauer-Drainstrom Id
1
1.1
1
900
Spitzenimpulsverlustleistung
2
1.5
Schwellenspannung Vgs
2
1.5
Verlustleistung Pd
2
5
2
6.25
5
10
9
50
1
100
1
125
1
150
3
200
2
250
2
500
DC-Stromverstärkung hFE
1
5
2
10
1
20
1
30
1
40
1
60
2
300
1
800
2
1000
Rds(on)-Messspannung Vgs
2
10
Haltestrom Ih, max.
1
60
1
100
1
200
1
750
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.
2
50
1
80
2
100
Zener-Spannung Vz, typ.
1
5.6
1
6.8
1
7.5
1
12
1
16
1
18
1
20
2
24
1
30
1
39
1
150
2
200
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.
2
35
1
125
2
400
Sperrspannung Vrwm
1
15.3
1
28.2
Durchbruchspannung, min.
1
17.1
1
31.4
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms)
1
30
1
35
1
40
1
175
Strom It av
1
22.3
1
175
Durchbruchspannung, max.
1
18.9
1
34.7
Anzahl der Pins
22
2
5
2 Pins
12
3
5
3 Pins
3
4
2
7
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
2
2.5
3
6
1
25
1
35
1
40
1
50
Betriebswiderstand, Rds(on)
1
2.7
1
3
Spitzensteuerleistung
1
20
1
40
Begrenzungsspannung Vc, max.
1
25.2
1
45.7
Zündstrom, max. (QI), Igt
1
80
1
250
Zündstrom, max., Igt
1
5
1
40
Toleranz ±
14
5
Drain-Source-Spannung Vds
1
60
1
90
Diodenkonfiguration
6
Einfach
Transistortyp
5
JFET
Bauform - Brückengleichrichter
3
Modul
Wandlerpolarität
2
n-Kanal
11
NPN
1
PNP
SCR-Modul
1
SCR einfach
Bauform - Transistor
5
TO-18
1
TO-205AD
1
TO-205AF
2
TO-206AF
8
TO-3
1
TO-39
Bauform - HF-Transistor
1
TO-39
Bauform - Triac
2
TO-48
Bauform - Diac / Sidac
1
TO-92
Bauform - Thyristor
1
TO-92
TVS-Polarität
2
Unidirektional
RoHS-konform bezüglich Phthalate
44
Keine Angabe
max. Begrenzungsspannung,
1
25.2
1
45.7
Minimale Kippspannung Vbo
1
-
Spannung, Urrm(V)
2
1
1
100
2
150
2
400
1
600
Spannung, Uz(V)
1
5.6
1
6.8
1
7.5
1
12
1
16
1
18
1
20
2
24
1
30
1
39
1
150
2
200
Maximale Kippspannung Vbo
1
-
Dauerstrom, Id
1
1.1
1
900
DC Sammelstrom
1
-20
1
5
1
7
1
16
2
20
2
30
1
40
1
50
1
300
1
400
Diodengehäusestil
1
-
1
Axial bedrahtet
2
DO-202AA
1
DO-203AB
2
DO-204AP
5
DO-4
8
DO-5
1
DO-7
1
P600
Spitzenwiederholungsauszustandsspannung, Vdrm
1
-30
1
1.2
2
600
Strom, Ibo max.
1
-
TVS Polarity
2
Unidirektional
Widerstand @ If
1
-
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
1
-
2
20
1
50
1
8
Gatetriggerstrom Max, Igt
1
5
1
40
Konfiguration, Diode
6
Einfach
Spannung ( Urwm)
1
15.3
1
28.2
Spannung, Durchbruch
3
-40
2
-30
1
100
Spannung, Uds(V) max.
1
60
1
90
Strom, If max.
1
1
Übergangsfrequenz ft Typ
6
-
1
150
1
2
1
4
1
800
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max
2
50
1
80
2
100
Spannung, Ugs aus(V) max.
2
-10
2
-6
1
-4
Brückengleichrichtergehäusestil
3
Modul
Gate Trigger Current Max (QI), Igt
1
80
1
250
Strom, It durchs.
1
22.3
1
175
Widerstand RDS (on)
1
2.7
1
3
Bauform
5
TO-18
1
TO-205AD
1
TO-205AF
2
TO-206AF
8
TO-3
1
TO-39
2
TO-48
2
TO-92
Leistungsverlust Pd
2
5
2
6.25
5
10
9
50
1
100
1
125
1
150
3
200
2
250
2
500
Spannung, Rds-Messung
2
10
Strom, IT RMS
1
30
1
35
1
40
1
175
Zeit, trr max.
2
-
2
25
1
30
DC Stromgewinn hFE
1
5
2
10
1
20
1
30
1
40
1
60
2
300
1
800
2
1000
Gatespitzenleistung Pgm
1
20
1
40
Spannung, Ugs th(V) typ.
2
1.5
Spitzendurchlassstrom Ifsm max.
2
35
1
125
2
400
Strom Itsm @ 50Hz
1
1
1
160
1
250
1
265
Transistor Type
5
JFET
Breakdown Voltage Min
1
17.1
1
31.4
Maximale Haltestrom Ih
1
60
1
200
1
750
Spannung, Uceo(V)
1
-100
1
30
2
60
1
80
1
100
1
140
1
150
1
300
3
400
Durchbruchsspannung max.
1
18.9
1
34.7
HF-Transistorgehäusestil
1
TO-39
Spannung, Ugt(V)
1
-
1
2.2
1
2.5
1
3.4
Seite 1
von 2
Artikel 1 - 30 von 49
SOLID STATE 1N270 PIN-DIODE, 100V, 0.04A, DO-7
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SOLID STATE 2N4857A TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 40V, TO18
ArtikelNr.:
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SOLID STATE 2N4858A TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 40V, TO18
ArtikelNr.:
1862994
Artikelgewicht:
0,33 Kg
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SOLID STATE 2N4860A TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 30V, TO18
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