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Modul
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TO-92
Bauform - Diode
1
-
1
DO-202AA
1
DO-203AB
2
DO-204AP
6
DO-4
8
DO-5
1
DO-7
1
P600
1
SOD-64
Bauform - HF-Transistor
1
TO-39
Bauform - Transistor
5
TO-18
1
TO-205AD
1
TO-205AF
2
TO-206AF
7
TO-3
1
TO-39
1
TO-78
Bauform - Triac
2
TO-48
Begrenzungsspannung Vc, max.
1
25.2
Betriebstemperatur, max.
5
-
1
110
2
125
5
150
18
175
13
200
1
90
Betriebswiderstand, Rds(on)
1
2.7
1
3
Dauer-Drainstrom Id
1
1.1
1
900
DC-Kollektorstrom
1
-50
1
5
1
7
1
16
1
20
2
30
1
40
2
50
1
300
1
400
DC-Stromverstärkung hFE
1
5
3
10
1
20
1
30
1
40
1
60
1
150
2
300
1
1000
Diodenkonfiguration
6
Einfach
Drain-Source-Spannung Vds
1
60
1
90
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.
2
50
1
80
2
100
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
1
-
2
20
1
50
1
8
Durchbruchspannung Vbr
3
-40
2
-30
1
100
Durchbruchspannung, max.
1
18.9
Durchbruchspannung, min.
1
17.1
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms)
1
30
1
35
1
40
Durchlassspannung Vf max.
1
1
3
1.2
2
875
1
900
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
1
1.3
2
2.5
2
6
1
35
1
40
1
50
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.
2
-10
2
-6
1
-4
Gesamtkapazität Ct
1
0.8
Haltestrom Ih, max.
1
60
1
100
1
200
Kippstrom, max.
1
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1
-60
1
30
2
60
1
80
1
140
1
150
1
300
3
400
1
500
MSL
22
-
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm
1
1.2
2
600
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.
2
1
1
100
1
150
1
400
2
600
Produktpalette
25
-
1
1N27 Series
1
1N2970 Series
1
1N2971 Series
1
1N2986 Series
1
1N2989 Series
1
1N3011 Series
1
1N3015 Series
8
1N33 Series
1
1N5552 Series
1
1N5806 Series
1
Baureihe KBPC
1
Baureihe KBPC3
1
MR754 Series
1
MR756 Series
1
T6420 Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
41
-
Rds(on)-Messspannung Vgs
2
10
RoHS-konform bezüglich Phthalate
43
Keine Angabe
Schwellenspannung Vbo, max.
1
-
Schwellenspannung Vbo, min.
1
-
Schwellenspannung Vgs
2
1.5
SCR-Modul
1
SCR einfach
Sperrerholzeit Trr, max.
2
-
1
2
2
25
Sperrspannung Vrwm
1
15.3
Spitzendurchlassstrom
1
1
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.
2
35
1
100
2
400
Spitzenimpulsverlustleistung
1
1.5
Spitzensteuerleistung
1
20
1
40
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz
1
160
1
250
1
265
Strom It av
1
22.3
Toleranz ±
15
5
Transistortyp
5
JFET
TVS-Polarität
1
Unidirektional
Übergangsfrequenz ft
5
-
1
150
1
2
1
4
1
800
Verlustleistung Pd
2
5
2
6.25
6
10
9
50
1
100
1
125
1
150
1
200
3
250
2
500
1
600
Wandlerpolarität
2
n-Kanal
11
NPN
1
PNP
Widerstand bei If
1
-
Zener-Spannung Vz, typ.
1
5.6
1
6.8
1
7.5
1
12
1
16
1
18
1
20
2
24
1
30
1
39
2
150
2
200
Zündspannung, max., Vgt
1
2.2
1
2.5
1
3.4
Zündstrom, max. (QI), Igt
1
80
1
250
Zündstrom, max., Igt
1
40
max. Begrenzungsspannung,
1
25.2
Minimale Kippspannung Vbo
1
-
Spannung, Urrm(V)
2
1
1
100
1
150
1
400
2
600
Spannung, Uz(V)
1
5.6
1
6.8
1
7.5
1
12
1
16
1
18
1
20
2
24
1
30
1
39
2
150
2
200
Maximale Kippspannung Vbo
1
-
Dauerstrom, Id
1
1.1
1
900
DC Sammelstrom
1
-50
1
5
1
7
1
16
1
20
2
30
1
40
2
50
1
300
1
400
Diodengehäusestil
1
-
1
DO-202AA
1
DO-203AB
2
DO-204AP
6
DO-4
8
DO-5
1
DO-7
1
P600
1
SOD-64
Spitzenwiederholungsauszustandsspannung, Vdrm
1
1.2
2
600
Strom, Ibo max.
1
-
TVS Polarity
1
Unidirektional
Widerstand @ If
1
-
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
1
-
2
20
1
50
1
8
Gatetriggerstrom Max, Igt
1
40
Konfiguration, Diode
6
Einfach
Spannung ( Urwm)
1
15.3
Spannung, Durchbruch
3
-40
2
-30
1
100
Spannung, Uds(V) max.
1
60
1
90
Strom, If max.
1
1
Übergangsfrequenz ft Typ
5
-
1
150
1
2
1
4
1
800
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max
2
50
1
80
2
100
Spannung, Ugs aus(V) max.
2
-10
2
-6
1
-4
Brückengleichrichtergehäusestil
2
Modul
Gate Trigger Current Max (QI), Igt
1
80
1
250
Strom, It durchs.
1
22.3
Widerstand RDS (on)
1
2.7
1
3
Bauform
5
TO-18
1
TO-205AD
1
TO-205AF
2
TO-206AF
7
TO-3
1
TO-39
2
TO-48
1
TO-78
1
TO-92
Leistungsverlust Pd
2
5
2
6.25
6
10
9
50
1
100
1
125
1
150
1
200
3
250
2
500
1
600
Spannung, Rds-Messung
2
10
Strom, IT RMS
1
30
1
35
1
40
Zeit, trr max.
2
-
1
2
2
25
DC Stromgewinn hFE
1
5
3
10
1
20
1
30
1
40
1
60
1
150
2
300
1
1000
Gatespitzenleistung Pgm
1
20
1
40
Spannung, Ugs th(V) typ.
2
1.5
Spitzendurchlassstrom Ifsm max.
2
35
1
100
2
400
Strom Itsm @ 50Hz
1
160
1
250
1
265
Transistor Type
5
JFET
Breakdown Voltage Min
1
17.1
Maximale Haltestrom Ih
1
60
1
200
Spannung, Uceo(V)
1
-60
1
30
2
60
1
80
1
140
1
150
1
300
3
400
1
500
Durchbruchsspannung max.
1
18.9
HF-Transistorgehäusestil
1
TO-39
Spannung, Ugt(V)
1
2.2
1
2.5
1
3.4
Seite 1
von 2
Artikel 1 - 30 von 47
SOLID STATE 1N270 PIN-DIODE, 100V, 0.04A, DO-7
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SOLID STATE 2N4857A TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 40V, TO18
ArtikelNr.:
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SOLID STATE 2N4858A TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 40V, TO18
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SOLID STATE 2N4859A TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 30V, TO18
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