ROHM RUM002N05T2L MOSFET, N-KANAL, 50V, 0.2A, VMT
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Rds(on)-Messspannung Vgs 4.5 V Produktpalette - MSL MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins 3 Pin(s) Wandlerpolarität n-Kanal Bauform - Transistor VMT Dauer-Drainstrom Id 200 mA Betriebswiderstand, Rds(on) 1.6 ohm Betriebstemperatur, max. - Drain-Source-Spannung Vds 50 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie - Schwellenspannung Vgs 1 V SVHC No SVHC (15-Jan-2018) Verlustleistung Pd 150 mW RoHS konform: Keine Angaben

Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins: 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: -
Bauform - Transistor: VMT
Verlustleistung Pd: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Drain-Source-Spannung Vds: 50
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe
Dauerstrom, Id: 200
Spannung, Uds(V) max.: 50
Widerstand RDS (on): 1.6
Bauform: VMT
Leistungsverlust Pd: 150
Spannung, Rds-Messung: 4.5
Spannung, Ugs th(V) typ.: 1
Artikelgewicht: 0,00 Kg

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