ROHM RQ3E150GNTB MOSFET, N-KANAL, 30V, 39A, HSMT-8
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Rds(on)-Messspannung Vgs 10 V Produktpalette - MSL MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins 8 Pin(s) Wandlerpolarität n-Kanal Bauform - Transistor HSMT Dauer-Drainstrom Id 39 A Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0047 ohm Betriebstemperatur, max. 150 °C Drain-Source-Spannung Vds 30 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie - Schwellenspannung Vgs 2.5 V SVHC No SVHC (15-Jan-2018) Verlustleistung Pd 17 W RoHS konform: Keine Angaben

Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins: 8
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Bauform - Transistor: HSMT
Verlustleistung Pd: 17
Schwellenspannung Vgs: 2.5
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Drain-Source-Spannung Vds: 30
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe
Dauerstrom, Id: 39
Spannung, Uds(V) max.: 30
Widerstand RDS (on): 0.0047
Bauform: HSMT
Leistungsverlust Pd: 17
Spannung, Rds-Messung: 10
Spannung, Ugs th(V) typ.: 2.5
Artikelgewicht: 0,01 Kg

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