ROHM RQ3E120ATTB MOSFET, P-KANAL, -30V, -39A, HSMT
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Rds(on)-Messspannung Vgs 10 V Produktpalette - MSL MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins 8 Pin(s) Wandlerpolarität p-Kanal Bauform - Transistor HSMT Dauer-Drainstrom Id 39 A Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0061 ohm Betriebstemperatur, max. 150 °C Drain-Source-Spannung Vds 30 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie - Schwellenspannung Vgs 2.5 V SVHC No SVHC (15-Jan-2018) Verlustleistung Pd 20 W RoHS konform: Keine Angaben

Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins: 8
Wandlerpolarität: p-Kanal
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Bauform - Transistor: HSMT
Verlustleistung Pd: 20
Schwellenspannung Vgs: -2.5
Dauer-Drainstrom Id: -39
Rds(on)-Messspannung Vgs: -10
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Drain-Source-Spannung Vds: -30
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe
Dauerstrom, Id: -39
Spannung, Uds(V) max.: -30
Widerstand RDS (on): 0.0061
Bauform: HSMT
Leistungsverlust Pd: 20
Spannung, Rds-Messung: -10
Spannung, Ugs th(V) typ.: -2.5
Artikelgewicht: 0,01 Kg

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