ROHM QS8M51TR MOSFET, N- UND P-KANAL, 100V, 2A, TSMT
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Rds(on)-Messspannung Vgs 10 V Produktpalette - MSL MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins 8 Pin(s) Wandlerpolarität n- und p-Kanal Bauform - Transistor TSMT Dauer-Drainstrom Id 2 A Betriebswiderstand, Rds(on) 0.24 ohm Betriebstemperatur, max. 150 °C Drain-Source-Spannung Vds 100 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie - Schwellenspannung Vgs 2.5 V SVHC No SVHC (15-Jan-2018) Verlustleistung Pd 1.5 W RoHS konform: Keine Angaben

Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins: 8
Wandlerpolarität: n- und p-Kanal
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Bauform - Transistor: TSMT
Verlustleistung Pd: 1.5
Schwellenspannung Vgs: 2.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Drain-Source-Spannung Vds: 100
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe
Dauerstrom, Id: 2
Spannung, Uds(V) max.: 100
Widerstand RDS (on): 0.24
Bauform: TSMT
Leistungsverlust Pd: 1.5
Spannung, Rds-Messung: 10
Spannung, Ugs th(V) typ.: 2.5
Artikelgewicht: 0,01 Kg

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