ROHM QS8M51TR MOSFET, N- UND P-KANAL, 100V, 2A, TSMT
Rds(on)-Messspannung Vgs 10 V Produktpalette - MSL MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins 8 Pin(s) Wandlerpolarität n- und p-Kanal Bauform - Transistor TSMT Dauer-Drainstrom Id 2 A Betriebswiderstand, Rds(on) 0.24 ohm Betriebstemperatur, max. 150 °C Drain-Source-Spannung Vds 100 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie - Schwellenspannung Vgs 2.5 V SVHC No SVHC (15-Jan-2018) Verlustleistung Pd 1.5 W RoHS konform: Keine Angaben
| Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: | - |
| MSL: | MSL 1 - unbegrenzt |
| Anzahl der Pins: | 8 |
| Wandlerpolarität: | n- und p-Kanal |
| Produktpalette: | - |
| Betriebstemperatur, max.: | 150 |
| Bauform - Transistor: | TSMT |
| Verlustleistung Pd: | 1.5 |
| Schwellenspannung Vgs: | 2.5 |
| Dauer-Drainstrom Id: | 2 |
| Rds(on)-Messspannung Vgs: | 10 |
| Betriebswiderstand, Rds(on): | 0.24 |
| Drain-Source-Spannung Vds: | 100 |
| RoHS-konform bezüglich Phthalate: | Keine Angabe |
| Dauerstrom, Id: | 2 |
| Spannung, Uds(V) max.: | 100 |
| Widerstand RDS (on): | 0.24 |
| Bauform: | TSMT |
| Leistungsverlust Pd: | 1.5 |
| Spannung, Rds-Messung: | 10 |
| Spannung, Ugs th(V) typ.: | 2.5 |
| Artikelgewicht: | 0,01 Kg |