ON SEMICONDUCTOR NGTB30N135IHR1WG IGBT 1FACH, N-KANAL, 1.35KV, 60A, TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.4 V Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.35 kV Produktpalette - MSL - Bauform - Transistor TO-247 DC-Kollektorstrom 60 A Betriebstemperatur, max. 175 °C Anzahl der Pins 3 Pin(s) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie - SVHC No SVHC (27-Jun-2018) Verlustleistung Pd 394 W RoHS konform: Keine Angaben
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: | - |
MSL: | - |
Anzahl der Pins: | 3 |
Produktpalette: | - |
Betriebstemperatur, max.: | 175 |
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: | 1.35 |
Bauform - Transistor: | TO-247 |
Verlustleistung Pd: | 394 |
DC-Kollektorstrom: | 60 |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): | 2.4 |
RoHS-konform bezüglich Phthalate: | Ja |
DC Sammelstrom: | 60 |
Spannung, Uce sat(V) max.: | 2.4 |
Bauform: | TO-247 |
Leistungsverlust Pd: | 394 |
Spannung, Uceo(V): | 1.35 |
Artikelgewicht: | 0,01 Kg |