ON SEMICONDUCTOR FQA19N60 MOSFET, N-KANAL, TO-3P
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MOSFET, N-KANAL, TO-3P RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 5 V Leistungsverlust Pd: 300 W Dauerstrom, Id: 18.5 A max. Betriebstemperatur: 150 °C MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform: TO-3P SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Spannung, Rds-Messung: 10 V Wandlerpolarität: n-Kanal Widerstand RDS (on): 0.38 ohm Spannung, Uds(V) max.: 600 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Product Range: -

Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3P
Betriebstemperatur, max.: 150
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Dauer-Drainstrom Id: 18.5
Drain-Source-Spannung Vds: 600
MSL: -
Produktpalette: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja
Schwellenspannung Vgs: 5
Verlustleistung Pd: 300
Wandlerpolarität: n-Kanal
Dauerstrom, Id: 18.5
Spannung, Uds(V) max.: 600
Widerstand RDS (on): 0.38
Bauform: TO-3P
Leistungsverlust Pd: 300
Spannung, Rds-Messung: 10
Spannung, Ugs th(V) typ.: 5
Artikelgewicht: 0,01 Kg

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