ON SEMICONDUCTOR FDS86140 MOSFET, N-KANAL, 100V, 11.2A, 8SOIC
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Rds(on)-Messspannung Vgs 10 V Produktpalette - MSL MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins 8 Pin(s) Wandlerpolarität n-Kanal Dauer-Drainstrom Id 11.2 A Betriebstemperatur, max. 150 °C Bauform - Transistor SOIC Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0081 ohm Drain-Source-Spannung Vds 100 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie - Schwellenspannung Vgs 2.7 V SVHC No SVHC (27-Jun-2018) Verlustleistung Pd 5 W RoHS konform: Keine Angaben

Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins: 8
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Bauform - Transistor: SOIC
Verlustleistung Pd: 5
Schwellenspannung Vgs: 2.7
Dauer-Drainstrom Id: 11.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081
Drain-Source-Spannung Vds: 100
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja
Dauerstrom, Id: 11.2
Spannung, Uds(V) max.: 100
Widerstand RDS (on): 0.0081
Bauform: SOIC
Leistungsverlust Pd: 5
Spannung, Rds-Messung: 10
Spannung, Ugs th(V) typ.: 2.7
Artikelgewicht: 0,50 Kg

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